Memoria RAM PNY MN4GSD42666 4 GB DDR4 2666 Mhz CL19 SODIMM

Descripción

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• Capacidad: 4 GB
• Tecnología: DDR4
• Velocidad: 2666 MHz
• Voltaje: 1,2 V
• Conector: SoDim
• Latencia: CL19

PNY MN4GSD42666. Componente para: Portátil, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Latencia CAS: 19

• Memoria interna: 4 GB
• Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
• Tipo de memoria interna: DDR4
• Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz
• Componente para: Portátil
• Latencia CAS: 19